近年來，微電子封裝正在向高密度、高可靠性發展，鈀（Pd）作為一種關鍵鍵合材料，因其俱備優異的抗氧化性及與鋁（Al）焊盤形成緩慢擴散反應等優異性能而受到廣泛關注。相較于傳統金（Au）絲，Pd絲在高溫服役條件下的界面演化行為更為復雜?？茰蕼y控依托在推拉力測試及力學檢測領域的技術積累，致力于通過精密測試手段，量化評估各種異質材料體系下的鍵合強度與失效機制。本文小編將基于已有公開研究數據，從力學冶金學視角出發，為您系統闡述Pd絲與Al焊盤界面金屬間化合物的生長動力學特征，及其對鍵合可靠性的力學影響。

一、Pd-Al界面在高溫下的緩慢演化

相關研究表明，Pd-Al金屬間化合物的表觀活化能約為1.25 eV，活化能是用以衡量原子擴散難易程度的指標，參考下表中的Au-Al體系活化能數據您就可以清晰看到，Pd-Al體系活化能明顯要高很多。這意味著在相同溫度應力下，Pd-Al金屬間化合物的生長速率遠低于Au-Al體系，就需要更多的能量才能驅動界面原子擴散與反應。不過也正因為反應動力學緩慢，Pd-Al鍵合點在高溫服役或可靠性測試中，其界面結構變化更遲緩，這有利于維持鍵合的力學完整性。

Au-AI引線鍵合失效活化能匯總

二、 AlPd金屬間化合物種類與空洞演化

盡管反應緩慢，但界面反應仍然存在。研究發現，在熱聲球形鍵合及后續加熱烘烤過程中，界面處會形成PdAl?和Pd?Al?兩種金屬間化合物。其中Pd?Al?相在400℃的高溫條件下持續100小時后開始出現Kirkendall空洞，進而減小有效承載面積，導致局部應力集中。當進行焊球剪切測試或拉力測試時，空洞區域容易產生裂紋，并不斷擴展，最終表現為鍵合強度下降。此外，從AIPd相圖可以看到，在富Al側及8%（atm）Pd共晶點附近，金屬間化合物演化路徑可能因成分波動而略有差異。

三、 硬度與彈坑風險

另外，從材料力學性能參數來看，Pd與Au存在顯著差異：Pd的硬度約為200 HKN，而Au約為90 HKN。在進行球形鍵合時，較硬的Pd球需要更高的超聲能量或鍵合力才能實現與AI焊盤的良好貼合。這將會增加Si芯片彈坑風險，進而導致芯片有源區結構造成物理性破壞，進而導致器件即時失效或潛在可靠性隱患。因此，針對Pd絲的鍵合工藝（超聲功率、壓力、溫度）必須經過嚴格的推拉力測試驗證，確保鍵合強度達標，底部無損傷。

四、Pd物理屬性對導電與導熱的影響

Pd的熱導率和電導率均不足Au的四分之一。對于承載大電流的功率器件而言，若需傳輸相同電流，必須采用更大直徑的Pd絲，以降低電阻和焦耳熱。然而，焦耳熱累積會反過來加速界面金屬間化合物生長，形成熱-力-電多場耦合失效模式。因此，對Pd絲鍵合點的可靠性評估，往往還需要結合高溫存儲測試與電流應力測試。

五、 薄Pd鍍層體系優勢與鍵合相似性

盡管純Pd絲存在硬度高、導電性差的挑戰，但薄Pd鍍層（如0.076μm）作為引線框架的表面處理層則展現出良好的應用前景。研究表明，在1μm厚Pd膜層上對Al線進行超聲楔形鍵合，或在薄Pd層上進行Au線熱壓球形鍵合，其可鍵合性與在Au鍍層上相似，且在200℃/50h的高溫烘烤后未發現可靠性問題。薄Pd層在鍵合過程中迅速與底層金屬（如Ni）或焊料形成固溶體，避免了厚層脆性金屬間化合物的生成。Pd具有較高的表面自由能，有利于與模塑料和芯片粘接環氧樹脂形成良好結合，增強了封裝的整體機械完整性。

六、潛在問題與力學檢測關注點

Pd、 Al 和 Au 引線鍵合系統表

根據表中匯總，Pd體系在應用中還需關注其它一些力學與工藝可靠性問題，比如氫脆風險，高溫氧化，清洗工藝敏感以及機械劃傷與工具磨損等。

總而言之，Pd作為一種鍵合材料，在Au和Al之間提供了獨特的性能平衡。其與Al反應的高活化能決定了優異的長期穩定性，但較高的硬度和特殊的物理化學屬性也對鍵合工藝窗口的精準控制及可靠性評估方法提出了更高要求。在引入Pd體系時，建議通過正交試驗設計（DOE）系統評估鍵合參數，并輔以高溫存儲后的剪切/拉力測試及彈坑檢測，全面驗證其力學可靠性。

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